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Si1037X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
0.6
0.5
600
500
C iss
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
300
200
100
C oss
0.0
0
C rss
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 0.77 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.77 A
0
1
2
3
4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
4
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.5
0.4
0.3
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.77 A
I D = 0.2 A
0.2
T J = 25 °C
0.1
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 70686
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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